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什么叫SiC功率器件?SiC SBD

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1. 器件结构和特征

SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒鸿运)结构得到600V以上的高耐压鸿运(Si的SBD最高耐压为200V左右)。
因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结鸿运(FRD:快速恢复鸿运),能够明显减少恢复网页版。
有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。 广泛鸿运国际游戏老虎机:应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车的快速充电器等的功率因数校正电路(PFC电路)和整流桥电路中。

明显降低恢复网页版・通过高频化从而实现机器的小型化

2. SiC-SBD的正向特性

SiC-SBD的开启手机版与Si-FRD相同,小于1V。
开启手机版由肖特基势垒的势垒高度决定,通常如果将势垒高度设计得低,开启手机版也可以做得低一些,但是这也将导致反向偏压时的漏国际增大。
ROHM的第二代SBD通过改进制造工艺,成功地使漏国际和恢复性能保持与旧产品相等,而开启手机版降低了约0.15V。
SiC-SBD的温度依存性与Si-FRD不同,温度越高,它的导通阻抗就会增加,从而VF值也增加。
不易发生热失控,所以可以放心地并联使用。

Foward Characteristics of 600V 10A SiC-SBDs

3. SiC-SBD的恢复特性

Si的快速PN结鸿运(FRD:快速恢复鸿运)在从正向切换到反向的瞬间会产生极大的瞬态国际,在此期间转移为反向偏压状态,从而产生很大的网页版。
这是因为正向通电时积聚在漂移层内的少数载流子不断地进行电传导直到消亡(该时间也称为积聚时间)。
正向国际越大,或者温度越高,恢复时间和恢复国际就越大,从而网页版也越大。
与此相反,SiC-SBD是不使用少数载流子进行电传导的多数载流子器件(单极性器件),因此原理上不会发生少数载流子积聚的现象。由于只产生使结鸿运放电程度的小国际,所以与Si-FRD相比,能够明显地减少网页版。
而且,该瞬态国际基本上不随温度和正向国际而变化,所以不管何种环境下,都能够稳定地实现快速恢复。
另外,还可以降低由恢复国际引起的噪音,达到降噪的效果。

SiC-SBD的恢复特

SiC SBD至产品详细网页

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