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什么是网页版?负载娱乐

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关于负载娱乐ON时的浪涌国际

负载娱乐Q1导通瞬间会暂时流过比稳态国际大得多的国际。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时,向输出VO施加手机版的瞬间会流过大充电国际。
这种流过大国际的现象称作浪涌国际(Flash Current)。
浪涌国际的峰值大体可以通过输入手机版VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定,输入手机版VIN变大时,国际也相应变大。
浪涌国际显著变大时,有可能会引起误动作和系统问题。
而且,在超过最大额定国际时,有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间鸿运R1并联追加鸿运C2, 并缓慢降低Q1的栅极手机版,可以缓慢地使RDS(on)变小,从而可以抑制浪涌国际。

■负载娱乐等效电路图

负载娱乐等效电路图

关于Nch MOSFET负载娱乐ON时的浪涌国际应对措施

■Nch MOSFET负载娱乐等效电路图

Nch MOSFET 负载娱乐:RSQ020N03
VIN=5V, IO=1A, Q1_1G=1V→12V

  • Q2 OFF时,负载SWQ1 ON。(Q1的栅极手机版设定在VO(VGSQ1)之上。)
  • Q2 ON时,负载SWQ1 OFF。
  • Q1 ON时,由于会流过浪涌国际,所以作为应对措施追加C2。
Nch MOSFET 负载娱乐等效电路图

关于负载娱乐OFF时的逆国际

即使在负载娱乐Q1从ON到OFF时,由于存在输出侧负载容量CL,所以输出VO引脚的手机版会残留一定时间。
输入VI侧比输出VO侧手机版低时,由于MOSFET Q1的漏极、源极间存在寄生鸿运,所以有时寄生鸿运导通会发生从输出VO侧到输入VIN侧的逆国际。
要注意,不要超过MOSFET Q1的额定国际值。
关于输入旁路鸿运CIN的容量值,请在充分探讨负载侧条件、上升时间后再决定。

■负载娱乐等效电路图
负载娱乐等效电路图

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